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          【每周新聞報】中芯國際12nm取得重大突破;華為2018年芯片采購支出劇增45%;2018年晶圓廠產能排名出爐

           

          1、華為2018年芯片采購支出劇增45%,位居三星蘋果之后Gartner發布的最新數據顯示,華為2018年半...

          1、華為2018年芯片采購支出劇增45%,位居三星蘋果之后

          Gartner發布的最新數據顯示,華為2018年半導體采購支出金額超210億美元,同比增加45%,排名第三。三星和蘋果仍是2018年全球排名前兩位的芯片買家,合并市場份額為17.9%。

          2、英特爾擴大愛爾蘭產能 投資70億歐元新建兩芯片廠

          近日,英特爾公司已經提出申請,將對其在歐洲國家愛爾蘭的制造園區進行大規模擴張。此計劃,加上去年宣布的其他計劃,可能會讓英特爾在愛爾蘭建設兩個新半導體工廠。英特爾將對愛爾蘭制造基地的擴建項目投入70億歐元的資金。愛爾蘭工廠此次擴張的部分原因是為了滿足對其14納米芯片的需求。

          3、美光桃園廠預計今年進入1ynm技術量產

          日前,美光以新臺幣5.33億元取得橋椿金屬位于中科后里園區約3公頃廠房,這座廠房緊鄰美光新啟用的中科后段封測基地,預期未來還會有上百億元投資,進一步擴大生產規模。

          目前,美光在臺中與桃園擁有兩座晶圓制造基地,而位于中科后里廠對面的后段封測基地,連同此次購入的廠房及土地,累計已逾13公頃,可望進一步強化美光在臺布局。美光桃園廠預計今年進入1ynm技術量產,臺中廠將于明年進入1znm技術量產。

          4、建興推出MU3系列SSD,采用東芝64層3D NAND

          建興推出一款最新MU3系列SSD,采用東芝64層BiCS 3D TLC NAND,7毫米/2.5英寸外形,SATA 6Gbps接口,提供120GB,240GB和480GB三種容量選擇。

          性能方面,順序讀取速度最高可達560MB/s,寫入速度最高可達500MB/s,隨機讀取速度可達83K IOPS,寫入速度89K IOPS。LiteOn目前尚未透露定價。



          5、東芝2018財年前三季凈利潤1.02兆日元,同比增長37倍

          東芝公布2018財年前三季度(4-12月)財務業績:營收2.65兆日元(約合239億美元),同比下滑5.5%;營業利潤82億日元(約合7409萬美元),同比下滑85.3%;凈利潤1.02兆日元(約合92億美元),同比增長37倍。

          存儲和電子設備解決方案營收6909億日元(約合62億美元),同比增長4.6%;營業利潤126億日元(約合1.1億美元),同比下滑74%;其中HDD業務營收4242億日元(約合38.3億美元),同比增長9.7%。

          6、SEMI:2022年前8英寸晶圓廠產量將增加70萬片

          國際半導體產業協會(SEMI)公布全球8吋晶圓廠展望報告(Global 200mm Fab Outlook)指出,因移動通訊、物聯網、車用和工業應用需求強勁,2019到2022年8英寸晶圓廠產量預計將增加70萬片,增幅為14%。SEMI表示,由于眾多應用都在8英寸晶圓找到適合的生產甜蜜點,未來幾年全球8英寸晶圓廠產能每月接近650萬片。

          7、2018年晶圓廠產能排名出爐:大陸排名第五增長最多

          IC Insights發布了各個國家或地區晶圓廠月產能排名,其中臺灣地區排名第一,2018年每月產能達412.6萬片,全球比重為21.8%;韓國排名第二,每月產能達403.3萬片,全球比重為21.3%;日本排名第三,每月產能達316.8萬片,全球比重為16.8%;美國排名第四,每月產能達242.6萬片,全球比重為12.8%;大陸地區排名第五,每月產能236.1萬片,全球比重為12.5%。

          8、紫光股份2018全年營收483.33億元,同比增長23.70%

          紫光股份發布了2018年財報數據,全年營收483.33億元,同比增長23.70%;凈利潤為16.91億元,同比增長8.07%,每股基本收益1.159元。

          9、中芯國際發布2018年Q4財報 12nm工藝研發取得突破

          中芯國際公布了截至2018年12月31日止第四季度的業績,該季度營收7.876億美元,環比降7.4%,同比持平;中國地區營收同比成長12%,毛利為1.341億美元,毛利率17%。

          目前中芯國際第一代FinFET14nm技術進入客戶驗證階段,產品可靠度與良率已進一步提升。同時,12nm的工藝開發也取得突破。


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